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深圳市高合科技有限公司

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AO3435
產品詳情
規格
FET 類型P 通道
技術MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)2.9A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)70 毫歐 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)11nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)745pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散(最大值)1W(Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝SOT-23-3L
封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

 

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